IXFT26N100XHV دیتاشیت

IXF(H,T)26N100X(HV) Datasheet

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXF(H,T)26N100X(HV) Datasheet
حجم فایل 341.316 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت IXF(H,T)26N100X(HV) Datasheet

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
  • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • detail: N-Channel 1000V 26A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount TO-268HV (IXFT)

محصولات مشابه